Будущие модели AMD Radeon: что ожидать

c

Подход 1: Чиплетная архитектура (MCM) на базе RDNA 4

AMD продолжает развивать мультичиповую компоновку, аналогичную Ryzen и Instinct MI300. Будущие флагманы Radeon RX 8000 (ориентировочно 2026 год) получат от 2 до 4 вычислительных кристаллов (GCD), соединенных через Infinity Fabric 4.0. Это позволяет теоретически нарастить количество шейдерных процессоров до 20 000+. Однако главное преимущество — выход годных кристаллов: размер каждого GCD меньше, чем у монолитного GPU, что снижает себестоимость брака.

Материалы: используется подложка из органического стеклотекстолита с медными слоями усиленной толщины (70 мкм вместо стандартных 35), чтобы выдерживать токи до 600 А. Межкристальные соединения выполнены по технологии EMIB (в лицензии от Intel), что обеспечивает пропускную способность до 2 ТБ/с между GCD. Рабочая температура интерфейса — до 105°C, что требует применения жидкого металла в качестве термоинтерфейса.

Подход 2: Монолитный кристалл с чистой RDNA 4 (12-серийные карты)

Это консервативная эволюция — отказ от чиплетов в пользу одного большого кристалла на техпроцессе TSMC N3E с плотностью транзисторов 320 Мтр/мм². Такой подход уже опробован в Navi 31 с ядром GCD. В RDNA 4 ожидается полностью новый дизайн блока растеризации (RB+), который объединит работу 4-х шейдерных массивов без разделяющих шин. Частота ядра поднимется до 3,2-3,4 ГГц за счет медных микротрубок в подложке (радиаторный слой Copper Pillar).

Объем кэша L3 (Infinity Cache) будет увеличен до 128 МБ, но с меньшей задержкой — 12 нс против 17 нс в RDNA 3. Изменена компоновка GDDR7-контроллеров: 8-канальная архитектура с тактовой частотой 32 Гбит/с на контакт. Это дает пропускную способность 1,2 ТБ/с при 256-битной шине. Материалы корпуса — медный теплораспределитель (IHS), припаянный к кристаллу индием, без использования термопасты.

Подход 3: Гибридная архитектура с выделенным блоком трассировки лучей (Ray Tracing Engine 4.0)

Вместо наращивания числа вычислительных блоков AMD делает ставку на специализированные ускорители. Новый блок RT (Ray Tracing Engine 4.0) будет выполнять до 4 операций пересечения лучей с треугольниками за такт (против 1 в RDNA 3). Это достигается за счет конвейерной обработки на отдельном кристалле (чип RT), изготовленном по техпроцессу 4nm — он работает как сопроцессор, подключаясь к основному GCD через 1024-битную шину.

Ожидается поддержка BVH 2.0 (Bounding Volume Hierarchy) с компрессией 3:1. Кэш трассировки (RT Cache) объемом 16 МБ вынесен на отдельный кристалл, что позволяет не засорять основной L3. Время отклика при подгрузке BVH-структур сокращено с 200 нс до 30 нс за счет использования HBM3-пакета на подложке. Пропускная способность шины доступа к RT-данным — 512 ГБ/с.

Подход 4: 3-нанометровый чиплет + GDDR7 на 256-битной шине (сбалансированный вариант)

Это коммерчески ориентированное решение, объединяющее лучшие стороны подходов 1 и 2. Проект под кодовым названием Navi 4C предполагает 2 GCD на N3E (по 64 CU каждый) и общий 128 МБ Infinity Cache на отдельном кристалле. Память — GDDR7 от Samsung на 28 Гбит/с, 8 чипов на 256-битной шине. Общая пропускная способность — 896 ГБ/с, что на 40% больше, чем у Radeon RX 7900 XTX (960 ГБ/с с учетом кэша).

Отличие от чистого MCM — использование активного моста (Active Interposer) от TSMC, который содержит буферные усилители сигнала. Это снижает латентность между GCD до 25 нс против 45 нс в пассивном мосте. Толщина кремниевого интерпозера — 100 мкм, что на 30% тоньше, чем в RDNA 3. Разводка питания выполнена через TGV (Through Glass Via) — стеклянные переходные отверстия, уменьшающие падение напряжения на 15%. Рекомендуемый TDP — 350 Вт, пиковый — 425 Вт.

Сравнение энергопотребления и тепловыделения

Подход 2 (монолит) выделяет 375 Вт тепла с плотностью 110 Вт/см² — это выше порога для воздушного охлаждения 120 Вт/см², поэтому потребуется 3-слотовый испаритель. Подход 4 (гибридный чиплет) рассеивает 350 Вт, но с плотностью 85 Вт/см², что позволяет использовать 2.5-слотовые кулеры с четырьмя теплотрубками (диаметр 8 мм). Подход 3 с выделенным RT-чипом добавляет 25 Вт на кристалл, но имеет меньший нагрев основного ядра (82°C под нагрузкой вместо 95°C). Чиплетный вариант (подход 1) потенциально может достигать 450 Вт при 4 GCD, что требует жидкостного охлаждения с помпой 12 Вт.

Типы термоинтерфейсов: для подходов 1 и 4 рекомендован жидкий металл Thermal Grizzly Conductonaut (проводимость >73 Вт/мК), для подходов 2 и 3 — фазопереходные прокладки (PCM) Honeywell PTM7950, которые не требуют замены в течение 5 лет. Важно: при использовании жидкого металла на чиплетах с разной высотой кристаллов (толщина варьируется ±50 мкм) необходимо применять компенсирующие медные шайбы на нижнем GCD.

Инструменты и метрики для оценки

Для тестирования будущих карт используйте следующие бенчмарки: Speed Way 3DMark (цикл по 1080p Extreme) — он проверяет нагрузку на геометрию и RT; V-Ray GPU CUDA (оценка смешанных вычислений). Измеряйте энергоэффективность в FPS/Вт: для подхода 4 прогноз 1.4 FPS/Вт при 4K, для подхода 2 — 1.15 FPS/Вт. В трассировке лучей оценивайте по метрике RAYS/сек: подход 3 должен давать 1200 млн RAYS/сек, подход 4 — 950 млн RAYS/сек.

Утилиты мониторинга: HWInfo64 v.8.0+ (показывает латентность между GCD и температуру каждого кристалла), GPU-Z ROG Edition (отображает использование RT-кэша). Для разгона используйте AMD Adrenalin 2026 (новый асинхронный режим) — он позволяет повышать частоту GDDR7 на 5% без потери стабильности.

Итоговая рекомендация

Для энтузиастов, собирающих топовую систему для игр 4K/240 Гц, выбирайте подход 4 (гибридный чиплет + GDDR7 на 256-бит). Это золотая середина между производительностью, тепловыделением и ценой. Если вам критична латентность (для киберспорта 1080p/500 Гц) — берите монолит (подход 2), но готовьтесь к шумному кулеру до 50 дБА. Для рабочих станций с рендерингом в Blender подойдет подход 1 (4 GCD), если вы готовы к водяному охлаждению. Подход 3 (выделенный RT) оправдан только при условии использования приложений с path tracing (D5 Render, Unreal Engine 5.4) — там прирост будет максимальным.

Параметр выбора материалов: если вы планируете автономную сборку — избегайте подходов с жидким металлом (1 и 4), так как требуется опыт нанесения. Для предустановленных систем (пребилды) подход 2 или 3 с термопрослойкой PCM надежнее и не требует обслуживания. Срок службы: у гибридных вариантов (подход 3 и 4) больше компонентов деградации — буферные усилители на интерпозере могут выходить из строя через 8 лет. Монолит служит до 12 лет при условии замены термоинтерфейса каждые 3 года.

Добавлено: 07.05.2026